A0926
Abstract: 7015A-004 1HP04CH CPH3
Text: 1HP04CH 注文コード No. N A 0 9 2 6 三洋半導体データシート N 1HP04CH P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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1HP04CH
900mm2
--50V
--80mA
--10V
900mm2
IT12919
IT12909
A0926-3/4
A0926
7015A-004
1HP04CH
CPH3
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PDF
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CPH5862
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5862 注文コード No. N A 0 4 6 4 三洋半導体データシート N CPH5862 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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CPH5862
1000mm2
82907PE
TC-00000873
A0464-1/5
VG0383
ID00384
A0464-4/5
CPH5862
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CPH5862
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5862 Ordering number : ENA0464 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5862 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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CPH5862
ENA0464
A0464-5/5
CPH5862
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IR300U
Abstract: CPH5863
Text: CPH5863 注文コード No. N A 0 4 6 5 三洋半導体データシート N CPH5863 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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CPH5863
1000mm2
82907PE
TC-00000875
A0465-1/5
ID00384
A0465-4/5
IR300U
CPH5863
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D2020M
Abstract: A0926 1HP04CH
Text: 1HP04CH Ordering number : ENA0926 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 1HP04CH General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings
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Original
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1HP04CH
ENA0926
900mm20
A0926-4/4
D2020M
A0926
1HP04CH
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CPH5863
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5863 Ordering number : ENA0465 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5863 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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CPH5863
ENA0465
A0465-5/5
CPH5863
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