SG615PHC
Abstract: Quarzoszillator MAC4216 SG-615PHC MMI4832 MAZET MMI4832 MAC4124 MAZET SG615PH 100NF
Text: Applikationshinweise zu den Zähler-/Interface IC‘s MMI4832, MAC4124, MAC4216 Version 1.0 Application Note 01 .2 MMI4832: Nutzung der Strobe-Register im inkrementellen Mode .2
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MMI4832,
MAC4124,
MAC4216
MMI4832:
MAC4216:
SG615PHC
Quarzoszillator
MAC4216
SG-615PHC
MMI4832
MAZET MMI4832
MAC4124
MAZET
SG615PH
100NF
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cz06
Abstract: CZ03 CZ07 11uass J030 J029 poskomp regler r9 CZ05 RZ08
Text: iC-NG APPLIKATIONSHINWEISE 04.05.1999, Seite 1/14 APPLIKATIONSSCHALTUNGEN Grundschaltung Inkremental-Modus Bild 1: Grundschaltung mit Tiefpaßfilter für komplementäre Eingangssignale Grundschaltung (Parallel-Absolut-Modus) Bild 2: Beschaltung als 8-Bit SIN/D-Wandler
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100nF Kondensator
Abstract: iC-WKL konstant stromquelle BC237 BD139 laserdiodengehause laserdioden
Text: iC-WK, iC-WKL Applikationshinweise CW-TREIBER FÜR LASERDIODEN AB 2.4 V Ausgabe 19.06.02, Seite 1/3 INHALT 1. Applikationshinweise . . . . . . . . . . . Seite 1 2. Dimensionierungshinweise . . . . . . Seite 3 1. APPLIKATIONSHINWEISE Bilder 1 bis 3 zeigen jeweils die CStandardbeschaltung" des iC-WK/L mit einer N/P/M-Typ-Laserdiode.
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100nF
100nF Kondensator
iC-WKL
konstant stromquelle
BC237
BD139
laserdiodengehause
laserdioden
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iC-WJ SO8
Abstract: iC-WJZ laserdioden laserdiode RIN kondensator 100 Kondensator IC-HAUS IC-WJ-SO8 operationsverstarker ci470
Text: iC-WJ, iC-WJZ CW-LASERDIODENTREIBER-IC Ausgabe C1, Seite 1/12 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Laserdiodentreiber für Dauer- und Pulsbetrieb CW.300 kHz bis 250 mA ♦ Mittelwertregelung der Laserleistung ♦ Einfache Einstellung der Laserleistung über externen
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CM-501
Abstract: cmo cm501 cm501 at89c2051 befehle Cmo CM-501 BASCOM-8051 datenbuch IF232LP CARD12D60A tmpz84c015
Text: INHALT Von EMUFs und EPACs . . . . 1 Z80 mini3 . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 PICSTART Plus . . . . . . . . . . 58 CCSC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 CP-537M-4 . . . . . . . . . . . . . . . . 4 KEIL C51 . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 MCB900 * . . . . . . . . . . . . . . . 9
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CP-537M-4
MCB900
BASCOM-8051
CM-51
CM-52
CM-501
CM-320
CM-509
CM-501
cmo cm501
cm501
at89c2051 befehle
Cmo CM-501
BASCOM-8051
datenbuch
IF232LP
CARD12D60A
tmpz84c015
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Kondensator 103
Abstract: 100nF Kondensator G104 kondensator smd Quarz 4 MHz 2 PIN g701 IC-WJ-SO8 4 bis 20 mA stromquelle G102I G003
Text: iC-VJ, iC-VJZ ANSTEUER-IC FÜR CW-LASERDIODEN EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Sender für Laserlichtschranken von 1kHz bis 200kHz ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ◊ ◊ Laserdiodentreiber bis 250mA Mittelwertregelung der Laserleistung Schutzfunktionen gegen Zerstörung der Laserdiode
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200kHz
250mA
Kondensator 103
100nF Kondensator
G104
kondensator smd
Quarz 4 MHz 2 PIN
g701
IC-WJ-SO8
4 bis 20 mA stromquelle
G102I
G003
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B511N
Abstract: information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 511N Temperatursensor Temperatur/Strom-Wandler-IS Applikationshinweise TGL 42933 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter (Bedingungen) Kurzzeichen min. max. Betriebsspannung (zwischen 1 und 3)
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B511N,
B511N
information applikation mikroelektronik
VEB mikroelektronik
Mikroelektronik Information Applikation
"halbleiterwerk frankfurt"
B589N
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
schlenzig
Funkamateur
4 bis 20 mA stromquelle
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik information applikation applikation heft A302D Kombinat VEB A 902 Kombinat VEB A 281 mikroelektronik Heft VEB mikroelektronik
Text: m a tk a r ^ m ie le l- c te n o n ik Information Applikation Informations- und Applikationshefte „M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher erschienen: Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: 8: 9: A 210 und 211 A301 A 290 A202 A 244 und A 281
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2T6551
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR
Text: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"
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information applikation mikroelektronik
Abstract: VEB mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt" applikation heft Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation information applikation halbleiterwerk
Text: m D N n ö e le lK te n a r iil- c Information BAUELEMENTE DER LEISTUNGS ELEKTRONIK BAUELEMENTE ÜBERSICHT GRENZ-UND KENNDATEN Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " B ish er e r s c h ie n e n : H e ft H e ft H e ft H e ft
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:
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B589N
Abstract: B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B589N Temperaturkompensierte Referenzspannungsquetle Applikationshinweise TG L 42934 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Kurzcharakteristik Grenzwerte P aram eter Kurzzeichen Betriebsstrom (von 1 nach 3) Umgebungstemperatur
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B589N
B511N,
B511N
information applikation mikroelektronik
B589
"halbleiterwerk frankfurt"
VEB mikroelektronik
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
4 bis 20 mA Schaltkreis
halbleiterwerk
mikroelektronik applikation
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information applikation
Abstract: C502D c500d applikation heft "information applikation" C504D B511N B555d Transistoren DDR A225D
Text: InrüoD=arü s l E l E l < t e r ,C i n i l K Information Applikation Q@Q i » [ m io N r ^ s ie le l- c t e n a n ik Information Applikation Heft 32: A/D-WANDLERSYSTEM C 500 D-REIHE \/ e b h a lb l o i t o r w o r k f r a n k f u r t / o d e r ' im vcb kombmnt mikpoolektronik
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
Text: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär
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information applikation
Abstract: DL193D information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik applikation heft DL192D
Text: [ H n in k ^ t M E le l- c f a n a n il- c Information Applikatiùn Auf ein Wort: Werte Nutzer dieser Applikations-Hefte! Das Tempo der Entwicklung in der Mikroelektronik erfordert, ständig neue Informationen über Bauelemente und ihre mögliche Anwendung
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information applikation mikroelektronik
Abstract: information applikation tda 4100 a4100d "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft meuselwitz FM -piezofilter Halbleiterbauelemente DDR A244D
Text: m o tk ^ ^ e le lK to n c in il-« Inform ation Applikation i m ö O ^ i r ^ e l B l - c b n Inform ation Applikation 3 9 H E F T A 4 10 0 s D AM-FM-Empfänger-IS + A 45 + 1 0 D P LL-Stereodekoder-IS + + Empfängerkonzept veto hatotaftsarvwerk frankfurC/c
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information applikation
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder
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VEB mikroelektronik
Abstract: 4565 D A2005V KP303 KP303D U806D analoge schaltkreise a4100d A209K sf126d
Text: DATEN BUCH 0 /x *«» Der vorliegende T ite l ist ein w eite re r Band d er D aten buch-R eihe Uber die M ikroelektronik. B auelem ente Die A pplikationszentrum R eihe wird Elektronik des im Berlin VEB Kom binat A uftrag des und des VEB M ilitär verlages herausgegeben.
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MH1SS1
Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik
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information applikation mikroelektronik
Abstract: information applikation C520D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 VQB71 Mikroelektronik Information Applikation VQE23 applikation heft Applikation Information
Text: m O N in s ie la t K Information Applikation t a n a r il* INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Heft 14: C 520 D 3-Digit-Analog/Digital-Wandler <?> veb H alb le ite rw e rk franlcfurt o d e r lejtb etrieb im veb kombinat mikroelektronik K A M M E R DER T E C H N I K
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fensterdiskriminator
Abstract: TCA965A TCA 965 Funkamateur FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation TCA 965 B Applikationsh Bauelementeinformation
Text: FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation Fensterdiskriminator-IS Kurzcharakteristik Grenzwerte Param eter Kurzzeichen Speisespannung Us Eingangsdifferenz zwischen A nschluß 6 ,7 und 8 A Uj Eingangsspannung A nschluß 9 Ui Ausgangsstrom !q Sperrschichttem peratur
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13beiH-Pegel)
fensterdiskriminator
TCA965A
TCA 965
Funkamateur
FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation
TCA 965 B
Applikationsh
Bauelementeinformation
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