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ELM32430LA Abstract: p45n02ldg Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32430LA-S •概要 ■特点 ELM32430LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=45A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V) ■绝对最大额定值项目	Original	ELM32430LA-S P45N02LDG O-252 Sep-02-2004 ELM32430LA p45n02ldg	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Single N-channel MOSFET ELM32430LA-S •General description ■Features ELM32430LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=45A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V)	Original	ELM32430LA-S ELM32430LA-S P45N02LDG O-252 Sep-02-2004	PDF
P45N02LD Abstract: No abstract text available Text: Single N-channel MOSFET ELM32430LA-S •General description ■Features ELM32430LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=45A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V)	Original	ELM32430LA-S ELM32430LA-S P45N02LDG O-252 Sep-02-2004 P45N02LD	PDF
p45n02ldg Abstract: No abstract text available Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32430LA-S •概要 ■特長 ELM32430LA-S は低入力容量低電圧駆動、低・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。・ Id=45A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V)	Original	ELM32430LA-S P45N02LDG O-252 Sep-02-2004 p45n02ldg	PDF