feo06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
|
Original
|
PDF
|
feo06021
IPCE/IPCE25o
feo06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
|
Q62703-Q66
Abstract: Q62703-Q395 Q62703-Q67
Text: LD 261 LD 261 feo06021 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
PDF
|
feo06021
Q62703-Q66
Q62703-Q395
Q62703-Q67
|
foto transistor
Abstract: foto transistor BPX circuit Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Text: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
|
Original
|
PDF
|
feo06021
Q62702-P
IPCE/IPCE25o
foto transistor
foto transistor BPX circuit
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
|
Q62703-Q395
Abstract: GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q67
Text: 0.7 0.6 0 . 5 2.7 2.5 0.25 0.15 3.5 3.0 0.5 0.4 Chip position 1.9 1.7 2.4 2.1 LD 261 3.6 3.2 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.1 1.5 2.54 mm spacing A Radiant sensitive area 0.4 x 0.4 1.4 1.0 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261) 1) Detaching area for tools, flash not true to size.
|
Original
|
PDF
|
GEO06021
feo06021
epi20
OHR02182
OHR01878
Q62703-Q395
GEO06021
OHRD1938
Q62703-Q67
|
isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
|
Original
|
PDF
|
Q62702-A772
Q62702-A731
Q62702-A773
OT-23
isl 6251 schematic
smd transistor A4S
Siemens OFW 361
smd marking b4h
6Bs smd transistor
NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG
Transistors Diodes smd A7H
a4s smd transistor
npn transistor ss100
smd transistor 6Bs
|
BPX81-2
Abstract: high sensitivity phototransistor sre 06
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 2 .8 4 t?t— R a d ia n t s e n s itiv e 0 .4 X 0 .4 - C o lle c to r (B P X 1 ) D e ta c h in g fla s h a re a n o t tru e A p p ro x . fo r to 81) 261) GE006021 to o ls , feo06021
|
OCR Scan
|
PDF
|
GE006021
BPX81-2
high sensitivity phototransistor
sre 06
|