ic pt 2223
Abstract: ic pt 2222 npn 2222 transistor UN2224 UN2221 UN2222 UN2223 DSA003713 Pt 2222
Text: Transistors with built-in Resistor UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor 0.65±0.15 1.45 0.95 1.5 –0.05 1 0.95 3 +0.1 0.4 –0.05 +0.2 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts.
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Original
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UN2221/2222/2223/2224
ic pt 2223
ic pt 2222
npn 2222 transistor
UN2224
UN2221
UN2222
UN2223
DSA003713
Pt 2222
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ic pt 2223
Abstract: UNR2223 UNR2221 UNR2222 UNR2224
Text: Transistors with built-in Resistor UNR2221/2222/2223/2224 UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor Unit: mm +0.2 2.8 –0.3 +0.25 0.65±0.15 For digital circuits 1.5 –0.05 0.65±0.15 +0.1 +0.2 1.45 3 0.4 –0.05 2.9 –0.05 1 0.95
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Original
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UNR2221/2222/2223/2224
UN2221/2222/2223/2224)
ic pt 2223
UNR2223
UNR2221
UNR2222
UNR2224
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ic pt 2223
Abstract: ic pt 2222 UN2224 UNR2223 UN2221 UN2222 UN2223 UNR2221 UNR2222 UNR2224
Text: Transistors with built-in Resistor UNR2221/2222/2223/2224 UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor Unit : mm 0.40+0.10 –0.05 For digital circuits 0.16+0.10 –0.06 0.4±0.2 2 1 (0.65) • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
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Original
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UNR2221/2222/2223/2224
UN2221/2222/2223/2224)
UNR2221
UNR2222
UNR2223
UNR2224
ic pt 2223
ic pt 2222
UN2224
UNR2223
UN2221
UN2222
UN2223
UNR2221
UNR2222
UNR2224
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2222A
Abstract: O A B C sot-89 WTM2222A WTM2907A 2222A sot89 transistor 2222a transistor 2222a sot 89
Text: WTM2222A NPN Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead Pb -Free 1 Features: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER * Low Collector Saturation Voltage * High Spwwd Switching * For Complementary Use With PNP Type WTM2907A 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25˚C)
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Original
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WTM2222A
OT-89
WTM2907A
100ms
06-Apr-06
OT-89
2222A
O A B C sot-89
WTM2222A
WTM2907A
2222A sot89
transistor 2222a
transistor 2222a sot 89
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2222a
Abstract: WTM2222A WTM2907A transistor 2222a
Text: WTM2222A NPN Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead Pb -Free 1 Features: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER * Low Collector Saturation Voltage * High Speed Switching * For Complementary Use With PNP Type WTM2907A 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25˚C)
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Original
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WTM2222A
OT-89
WTM2907A
100ms
06-Apr-06
OT-89
2222a
WTM2222A
WTM2907A
transistor 2222a
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PC7812AHF
Abstract: PC7805AHF pc7815ahf IC-7983 PC7800 PC7824AHF PC7893AHF PC7805A PC7818AHF
Text: データ・シート バイポーラアナログ集積回路 Bipolar Analog Integrated Circuit µPC7800Aシリーズ 3端子正出力電圧安定化電源回路 PC7800Aシリーズは,出力電流容量1Aの正出力電圧3端子レギュレータです。
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Original
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PC7800A
PC7800A1A
PC7800
TA-30
mAPC7805AHF
VPC7805AHF
PC7808AHF
PC7893AHF
PC7812AHF
PC7805AHF
pc7815ahf
IC-7983
PC7800
PC7824AHF
PC7893AHF
PC7805A
PC7818AHF
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transistor C017
Abstract: D1560 transistor t 2190 2SD2164
Text: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SD2164 NPN エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 低周波電力増幅,低速度スイッチング用 2SD2164 は,hFE が特に高くなるように設計されたシングルの
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2SD2164
2SD2164
D15606JJ3V0DS
transistor C017
D1560
transistor t 2190
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2SC1505 K
Abstract: 2SC1505 k1982 MP-25 tc5084 tc5084b
Text: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SC1505 NPN 三重拡散形シリコン・トランジスタ カラー・テレビ・クロマ出力,音声出力用 ★ 2SC1505 は,高耐圧かつ高周波特性にすぐれており,カラー・
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Original
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2SC1505
O-220AB
O-220AB)
D14860JJ3V0DS00
TC-5084B
October2000
2SC1505 K
2SC1505
k1982
MP-25
tc5084
tc5084b
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31-968.24
Abstract: 22-331.111d 22-040.001 311D 514D 22-223.011 10-5309.3205 31-968.05 Flat Plate power Resistor elements 222120
Text: Switches and Indicators 22 22 Switches and Indicators Index Series 22 Description Page 369 Product Assembly Page 370 Product Range - pushbuttons for standard mounting - accessories / spare parts 368 01.2000 Page 371 Page 375 Technical Data Page 380 Technical Drawing / Dimension
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Original
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2SC4226
Abstract: pt 2399 PA810T
Text: データ・シート(暫定) シリコントランジスタ Silicon Transistor µPA810T NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ(2素子内蔵) 高周波低雑音増幅用 2SC4226 2個入り小形ミニモールド PA810Tは,VHF帯からUHF帯での低雑音増幅用として
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PA810T
2SC4226
PA810TVHFUHF
PA810T-T1
2SC4226
pt 2399
PA810T
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d1499
Abstract: AA 6026
Text: データ・シート 複合トランジスタ Compound Transistor FN1F4N 抵抗内蔵PNPエピタキシアル形シリコントランジスタ 中速度スイッチング用 特 徴 外形図(単位:mm) ○バイアス抵抗を内蔵しています。
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Original
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Cycle50
D14992JJ2V0DS002
TC-6026
D14992JJ2V0DS00
d1499
AA 6026
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K1983
Abstract: 2SA1129 2SC2654 MP-25 D1485 2sa112
Text: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SA1129 PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 低周波電力増幅および中速度スイッチング用 工業用 ★ 2SA1129 は,中速度スイッチング用として開発されたモール
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Original
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2SA1129
O-220AB
O-220AB)
2SC2654
D14856JJ2V0DS00
TC-5552
October2000
K1983
2SA1129
2SC2654
MP-25
D1485
2sa112
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transistor 6108
Abstract: 2SC4342
Text: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SC4342 NPN エピタキシアル形シリコン・トランジスタ ダーリントン接続 高速度スイッチング用 工業用 ★ 2SC4342 は,高速タイプのダーリントン・パワー・トランジ
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Original
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2SC4342
O-126
D14862JJ2V0DS00
TD-7566
June2001
D14862JJ2V0DS
transistor 6108
2SC4342
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2SB1432
Abstract: 2SB143
Text: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SB1432 PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ ダーリントン接続 低周波電力増幅,低速度スイッチング用 工業用 ★
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Original
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2SB1432
2SB1432
O-220
O-220)
D14859JJ2V0DS00
TD-7620
November2000
2SB143
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SMBT 2907 SMBT 2907 A PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: SMBT 2222, SMBT 2222 A NPN Type Marking Ordering Code (tape and reel) Pin Configuration
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Q68000-A6501
Q68000-A6474
OT-23
0535bQ5
012S531
235bQ5
D122532
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2907A
Abstract: ZT2907A mdpv
Text: SIEM EN S PNP Silicon Switching Transistors PZT 2907 PZT 2907 A • High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: PZT 2222 N PN PZT 2222 A (NPN) Type Marking Ordering Code (tape and reel) Pin Conf igura ion
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Q62702-Z2028
Q62702-Z2025
OT-223
2907A
ZT2907A
mdpv
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transistor 2222a
Abstract: k019 2222A transistor M2907A 2222a tm2907 2222A transistors ip 2222A
Text: SEC SILICON TRANSISTORS ELECTRON DEVICE N T M 2 2 2 2 A ,N T M 2 2 2 2 A R GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, HIGH SPEED SW ITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR "M INI MOLD TYPE” DESCRIPTION The N TM 2222A , N TM 2222A R are designed fo r general purpose am p lifie r and high speed sw itching applications, especially
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t2222
Abstract: NT2222 NT2222A I/NT2222 NT2907 t2222a ICB01
Text: NEC NPN SILICON TRANSISTORS NT2222,NT2222A ELECTRON DEVICE GENERAL PU RPO SE A M P L IF IE R A N D H IG H -S P E E D , M E D IU M -P O W E R S W IT C H IN G N P N S IL IC O N E P IT A X IA L T R A N S IS T O R DESCRIPTION The N T2222, N T 2222A are NPN transistors, designed fo r general purpose am plifier and high-speed, mediumpower sw itching applications, feature injection-m olded plastic package fo r high re lia b ility .
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NT2222
NT2222A
T2222,
T2907,
T2907A
T2222A
t2222
NT2222A
I/NT2222
NT2907
ICB01
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G2JS
Abstract: 2SC4550 Immo transistor t 2190 U/25/20/TN26/15/850/G2JS
Text: ~r — $ • y — h /\°7 - Silicon Power Transistor 2SC4550 N 2 S C 455o iî , i i i i x - f P N I f c - v i - v - r m ÿ X j ' t ' L ow VcE sat Iife i ^ t L v x m T . i l ' J f i ÿ y ì i i i i r t z ' - t v - h \ - 7 7 > ' / X > m ^iO T" D C /D C ^ > /S;'— Ÿ ^?~T y7
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2SC4550
2SC4550
PWS300
D15596JJ2V0DS00
G2JS
Immo
transistor t 2190
U/25/20/TN26/15/850/G2JS
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K68A
Abstract: a1f4m A1A4M R1Ik N1A4M 2SK104 2SA1138 a1l4m n1f4m 2SD1557
Text: QUICK REFERENCE GUIDE MINI MOLD SC-59 Q U IC K R E FE R EN C E TA B L E Switching Diodes □ m Leadless Type Q U IC K REFER EN C E TA B LE (Switching Diodes) □ \ ^ V R (V ) GENERAL P UHPO SE 30 50 70 LS53 LS 54 LS 55 LS 953 LS 954 L S 955 100 S IN G L E
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SC-59
DO-35
SC-63)
T0-220AB
K68A
a1f4m
A1A4M
R1Ik
N1A4M
2SK104
2SA1138
a1l4m
n1f4m
2SD1557
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transistor 5bw
Abstract: TRANSISTOR 5DW 5dw transistor 3bw transistor 2SC1009 transistor 3bw 1bw npn NPN2SC2351 nec m nec microwave
Text: 9. Summarized Characteristics Table 4. Bipolar Transistor« Bipolar Transistors, Field Effect Transistors and Diodes Absolute M aximum Ratings Te*25uC Type No. Structure PNP Epitaxial Package N E C M INI M O L O Regular' Electrical Characteristics Ta«25°C>
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2SK67
2SK160
transistor 5bw
TRANSISTOR 5DW
5dw transistor
3bw transistor
2SC1009
transistor 3bw
1bw npn
NPN2SC2351
nec m
nec microwave
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2n5088 transistor
Abstract: SL 100 NPN Transistor 2N3903 2N3904 2N3905 2N3906 2N4123 2N4124 2N4125 2N4126
Text: SILICON SIGNAL TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TO-92 PA CK A GE D evice b v CEO T y p e @ 1 0 m A - V M in . V CE (sat) E M a x. 2N 3903 2N 3904 2N 3905 2N 3906 2N 4123 NPN NPN PNP PNP NPN 40 40 40 40 30 50 100 50 100 50 15 0 300 150 300 15 0
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2N3903
2N3904
2N3905
2N3906
2N4123
2N4124
2N4125
2N4126
2N4400
2n5088 transistor
SL 100 NPN Transistor
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 4 T H IS DRAWING 0 RELEASED FOR P U B L I C A T IO N IS UNPUBLISHED. COPYRIGHT BY AMP INCORPORATED. 19 2 3 ,1 9 LOC DI ST CF ALL RIGHTS RESERVED. REVISIONS 39 DES C RI PT IO N DATE DWN APVD PER NPR 11-20-96 DKE RC 0G80—0 0 3 7 -0 0 1- 2 8 - 0 0 REH REH
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0G80--0
17105-3b0
amp40989
/home/arfip40989/edmrnod
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BLW90
Abstract: fi37
Text: bSE ]> El 7110ñSb DDb33ñ7 350 « P H I N BLW90 _ PHILIPS INTERNATIONAL _^ U.H.F. P O W E R T R A N SIST O R N-P-N silicon planar epitaxial transistor suitable for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and
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BLW90
BLW90
fi37
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