VEC2609
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2609 注文コード No. N A 0 1 0 3 三洋半導体データシート N VEC2609 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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PDF
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VEC2609
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
900mm2
IT03302
VEC2609
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MCH3319
Abstract: VEC2305
Text: VEC2305 Ordering number : ENN7718 VEC2305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • For load switches, DC / DC converters. 1.8V drive. Composite type with 2 P-Channel MOSFETs MCH3319 contained in a singlepackage, facilitaing high-density
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Original
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VEC2305
ENN7718
MCH3319)
900mm2
MCH3319
VEC2305
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VEC2609
Abstract: INVERTER BOARD SANYO
Text: VEC2609 Ordering number : ENA0103 VEC2609 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2609 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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VEC2609
ENA0103
VEC2609
A0103-6/6
INVERTER BOARD SANYO
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MCH3319
Abstract: VEC2305 IT06899
Text: VEC2305 注文コード No. N 7 7 1 8 三洋半導体データシート N VEC2305 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチDC / DC コンバータ用。 ・1.8V 駆動。
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Original
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PDF
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VEC2305
MCH3319)
900mm2
IT06901
--10A
900mm2
IT06903
MCH3319
VEC2305
IT06899
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