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SFH485P Abstract: OHLPY985 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger	Original	PDF	Q62703Q0516 720-SFH485P SFH485P OHLPY985
Untitled Abstract: No abstract text available Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger	Original	PDF	Q62703Q0516
GEXY6306 Abstract: OHLY0598 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger	Original	PDF	Q62703Q0516
GEX06306 Abstract: Q62703-Q516 Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position 29 27 fex06306 GEX06306 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	fex06306 GEX06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516
GEX06306 Abstract: Q62703-Q516 OHR01893 Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	GEX06306 fex06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516 OHR01893
GEX06306 Abstract: Q62703-Q516 Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.	Original	PDF	GEX06306 fex06306 OHR00949 OHR01893 GEX06306 Q62703-Q516
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 2009-08-21 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Available on tape and reel (in Ammopack)	Original	PDF	D-93055
GEX06306 Abstract: Q62703-Q516 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)	Original	PDF	OHR01893 GEX06306 GEX06306 Q62703-Q516
GEXY6306 Abstract: Q62703-Q516 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)	Original	PDF
Q62703Q0516 Abstract: GEXY6306 OHLY0598 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger	Original	PDF