SFH485P
Abstract: OHLPY985
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
720-SFH485P
SFH485P
OHLPY985
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Q62703Q0516
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GEXY6306
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Q62703Q0516
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GEX06306
Abstract: Q62703-Q516
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position 29 27 fex06306 GEX06306 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fex06306
GEX06306
OHR00949
OHR01893
GEX06306
Q62703-Q516
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GEX06306
Abstract: Q62703-Q516 OHR01893
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06306
fex06306
OHR00949
OHR01893
GEX06306
Q62703-Q516
OHR01893
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GEX06306
Abstract: Q62703-Q516
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEX06306
fex06306
OHR00949
OHR01893
GEX06306
Q62703-Q516
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-08-21 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Available on tape and reel (in Ammopack)
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D-93055
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GEX06306
Abstract: Q62703-Q516
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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OHR01893
GEX06306
GEX06306
Q62703-Q516
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GEXY6306
Abstract: Q62703-Q516
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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Q62703Q0516
Abstract: GEXY6306 OHLY0598
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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