transistor k 0247
Abstract: GPXY6992 9304 Fototransistor k 0247 9303 IC 0247 ic 4060 k 4110 sfh diode
Text: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale • Kompaktes Gehäuse • GaAs-IR-Sendediode 950 nm • Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
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Original
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GPXY6997
transistor k 0247
GPXY6992
9304
Fototransistor
k 0247
9303
IC 0247
ic 4060
k 4110
sfh diode
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p 628 Opto
Abstract: diode 9306 F 9301 DC sfh 1212 transistor k 4110 9306 9304 sfh diode Opto Interrupter slotted 9301
Text: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale • Kompaktes Gehäuse • GaAs-IR-Sendediode 950 nm • Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
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Original
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GPX06997
p 628 Opto
diode 9306
F 9301 DC
sfh 1212
transistor k 4110
9306
9304
sfh diode
Opto Interrupter slotted
9301
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9301
Abstract: 9303 9306 k 0247 design opto interrupter
Text: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale Features • • • • • Compact type • GaAs infrared emitter 950 nm • Silicon phototransistor detector with
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Original
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9301
Abstract: No abstract text available
Text: Gabellichtschranken Slotted Interrupters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale Features • • • • • Compact type • GaAs infrared emitter (950 nm)
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Original
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ovkd 01
Abstract: diode ovkd01 diode in 400
Text: Transmitting and Receiving Elements Receiving element SFH 203 P Fig.: SFH 203 P in diode socket LSTDL Type Description Fig.: SFH 203 P in diode socket LWMDL Fig.: SFH 203 P in diode socket OVKD 01 SFH 203 P PIN photo diode SFH 203 P is a planar silicon diode with a high cut-off frequency mounted
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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all220)
GETY6091
GETY6013
GEOY6314
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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diode SR 315
Abstract: sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667
Text: SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 fet06092 fet06091 fet06090 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537
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Original
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fet06092
fet06091
fet06090
diode SR 315
sfh 482 diode
E7800
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
tci 537
Q62703-Q1667
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Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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Phototransistor SFH
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302 SFH 9303, SFH 9304 SFH 9306 Vorläufige Daten / Preliminary Data 12.52 12.12 optical axis 6.68 6.28 11.0 10.6 0.6 0.4 2 2.54 Circuitry 3 SFH 9301 Emitter Sensor 1 4 GPX06992 fpx06992
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Original
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GPX06992
fpx06992
OHFD00367
OHF00372
OHF00380
OHF00410
Phototransistor SFH
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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transistor k 4110
Abstract: foto sensor foto transistor 9304 F 9301 DC ic 4060 9301 q 1257 9303 diode 9306
Text: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 Vorläufige Daten / Preliminary Data 12.57 12.07 optical axis 6.73 6.23 0.25 8.6 min. (2.8) 11.05 10.55 3.33 3.03 2.54 8.3 7.9 4 SFH 9301 2 Emitter Sensor 3 GPX06992
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Original
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GPX06992
fpx06992
OHFD00367
OHF00372
OHF00380
OHF00410
transistor k 4110
foto sensor
foto transistor
9304
F 9301 DC
ic 4060
9301
q 1257
9303
diode 9306
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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415-U
416-R
Q62702-P296
Q62702-P1137
Q62702-P1139
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität
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Original
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Q62702-P1668
Q62702-P3600
Q62702-P16any
TRANSISTOR K 314
foto transistor
Q62702-P1668
Q62702-P1675
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SFH 314
Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02342
GEX06630
SFH 314
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
Q62702-P1758
TRANSISTOR K 314
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opto P180
Abstract: P180 opto npn phototransistor sfh 309 foto transistor Q62702-P999 transistor 309 Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P859 Q62702-P941
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität
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Original
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SFH 309 FA
Abstract: SFH 309-3/4
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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Original
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D-93055
SFH 309 FA
SFH 309-3/4
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diode BY 309
Abstract: SFH 309-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
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Original
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transistor 313
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)
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Original
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Q62702P1667
transistor 313
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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GEXY6630
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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GE006314
GET06091
GET06013
OHR00881
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diode SR 315
Abstract: BPX65 high sensitive
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481
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E006314
GET06091
GET06013
BPX65)
diode SR 315
BPX65 high sensitive
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SIEMENS Phototransistors BPY
Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA
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300/FA
313/FA
314/FA
309/FA
310/FA
309P/PFA
303/FA
203/FA
213/FA
214/FA
SIEMENS Phototransistors BPY
2108a
siemens dioden
SFH-506
SFH100
BPW21
300FA
2108 A
SFH 314
SFH-10
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