26256
Abstract: iC-PN2656 analoge schaltkreise CQFN foto transistor G003 QFN32 TPK 03 cm2680
Text: preliminary iC-PN2656 PHASED-ARRAY NONIUS-ENCODER 26-256 Ausgabe A4, Seite 1/7 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Absolute Positionsencoder ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Kompakter Fotosensor für hochauflösende Nonius-Abtastung Phased-Array-Design für exzellenten Signalgleichlauf
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Original
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PDF
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iC-PN2656
QFN32
iC-PN2656
cQFN32
oQFN32
26256
analoge schaltkreise
CQFN
foto transistor
G003
TPK 03
cm2680
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foto sensor
Abstract: foto transistor inkrementalencoder ic foto fotodiode G003 analoge schaltkreise
Text: preliminary iC-LSHB INKREMENTAL FOTOSENSOR-ARRAY Ausgabe B1, Seite 1/8 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Monolithisches Array unabhängiger Fotosensoren mit exzellentem Gleichlauf ♦ Kompakte Fotosensor-Flächen von 800 µm x 330 µm für geringe Systemabmessungen
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Original
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PDF
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15-pin
foto sensor
foto transistor
inkrementalencoder ic
foto
fotodiode
G003
analoge schaltkreise
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Schieberegister
Abstract: CDIP16 G003 I002 fotodiod icoc analoge schaltkreise
Text: iC-OC INTEGRIERENDER LICHT-SPANNUNGSWANDLER Ausgabe D1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Optische Zeilensensoren ♦ Ersatz von CCDs Zwei Fotosensoren mit integrierenden Verstärkern Integrationszeit extern bestimmbar
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Original
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PDF
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CDIP16
Schieberegister
CDIP16
G003
I002
fotodiod
icoc
analoge schaltkreise
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DPSN
Abstract: foto sensor fotosensor dpsn 210 foto transistor G003 dpsN 150 fotodiod analoge schaltkreise
Text: preliminary iC-LSHC 3-KANAL SIN/COS FOTOSENSOR ARRAY Ausgabe B1, Seite 1/7 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Monolithisches Array unabhängiger Fotosensoren mit exzellentem Gleichlauf ♦ Kompakte Fotosensor-Flächen von 800 µm x 330 µm für geringe Systemabmessungen
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Original
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PDF
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15-pin
26-256N
26-1024N
26-2048N
42-2048N
DPSN
foto sensor
fotosensor
dpsn 210
foto transistor
G003
dpsN 150
fotodiod
analoge schaltkreise
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1024N
Abstract: iC-PN2624 G003 analoge schaltkreise
Text: preliminary iC-PN2624 PHASED-ARRAY NONIUS-ENCODER 26-1024 Ausgabe B1, Seite 1/7 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Absolute Positionsencoder ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Kompakter Fotosensor für hochauflösende Nonius-Abtastung Phased-Array-Design für exzellenten Signalgleichlauf
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Original
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PDF
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iC-PN2624
iC-PN2624
32-Pin
oQFN32-5x5
oQFN32-N5x5
15-Pin
1024N
G003
analoge schaltkreise
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iC-PD3948
Abstract: foto sensor G003 LSH2C analoge schaltkreise
Text: preliminary iC-PD3948 5-KANAL PHASED-ARRAY SINUS-ENCODER 39-2048 Ausgabe B4, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Kompakter, differentiell abtastender Encoder-Sensor mit Sinusausgabe ♦ Phased-Array-Design für exzellenten Signalgleichlauf ♦ Großer Spurabstand für reduziertes Übersprechen
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Original
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PDF
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iC-PD3948
iC-PD3948
32-Pin
oQFN32-5x5
oQFN32-N5x5
15-Pin
foto sensor
G003
LSH2C
analoge schaltkreise
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atmel 602 24c02
Abstract: eeprom atmel 904 RS422-Spezifikation zy 406 transistor hallsensor 4 bis 20 mA stromquelle konstant stromquelle M14 Nut wand zy 406
Text: iC-MN 25-BIT NONIUS ENCODER MIT 3-KANAL S & H 13-BIT Sin/D INTERPOLATION Ausgabe D1, Seite 1/60 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Mehrkanal Sinus-Digital-Wandler ♦ Optische und magnetische Positionssensoren ♦ Single- und Multiturn-Absolutwertgeber
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Original
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PDF
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25-BIT
13-BIT
48-Pin
140mm
100mm
QFN48
atmel 602 24c02
eeprom atmel 904
RS422-Spezifikation
zy 406 transistor
hallsensor
4 bis 20 mA stromquelle
konstant stromquelle
M14 Nut
wand
zy 406
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schaltungen
Abstract: TO18-4 Fotodiode CMOS schaltkreise 06135 foto transistor G003 200nA fotodiod iC-VP-TO18-4F
Text: iC-VP LICHTSENSOR MIT SCHWELLWERTSCHALTER EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Hohe Fotoempfindlichkeit ♦ Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen Infrarot ♦ Einstellbare Schaltschwelle ♦ Kurze Schaltzeit ♦ Versorgungsspannung 4.5.16V
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Original
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PDF
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O18-4L/F
schaltungen
TO18-4
Fotodiode
CMOS schaltkreise
06135
foto transistor
G003
200nA
fotodiod
iC-VP-TO18-4F
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foto transistor
Abstract: CMOS schaltkreise 4 bis 20 mA stromquelle IC-HAUS G003 Applikationsh TO18-4F Fotodiode
Text: iC-VDK WECHSELLICHTSENSOR MIT SCHALTER EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Hohe Zuverlässigkeit und Störsicherheit durch monolithischen Aufbau ♦ Aktive Fotodiodenfläche von 1mm² ♦ Richtcharakteristik durch Sammellinse ♦ Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des
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Original
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PDF
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O18-4L
foto transistor
CMOS schaltkreise
4 bis 20 mA stromquelle
IC-HAUS
G003
Applikationsh
TO18-4F
Fotodiode
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MTI04CS
Abstract: MTI04CQ katalog SMD MTI04 QSOP16 MTI04C fotodiode zeilensensor
Text: Alle in der Dokumentation enthaltenen Informationen sind Eigentum der MAZeT. Nichts aus dem Katalog darf reproduziert oder vervielfältigt werden, weder elektronisch, noch mechanisch, es sei denn, es liegt die ausdrückliche Genehmigung der MAZeT GmbH vor. Alle genannten Firmen- und Markennamen sowie
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Original
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MTI04CS/MTI04CQ
MTI04
DB-05-175
MTI04CS
MTI04CQ
katalog SMD
MTI04
QSOP16
MTI04C
fotodiode
zeilensensor
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Schieberegister
Abstract: OPTO 701 Schieberegister encoder NDIR sensor circuit E001 G003 monoflop schiebe konstant stromquelle K1621
Text: iC-LV 5-BIT OPTO ENCODER Ausgabe A3, Seite 1/12 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Ë Ë Hoher Gleichlauf und technische Zuverlässigkeit durch monolithischen Aufbau mit integrierten Fotodioden Gleichlichtbewertete Abtastung mit 600 µm Spurabstand Fotostromverstärker mit hoher Grenzfrequenz
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Optische HalbleiterHalbleiter-Sensoren PRODUKTINFORMATION Optische Sensoren stellen die physikalische Schnittstelle zwischen der Welt des Lichtes und der elektrischen Welt dar. Erstmalig wurde die Erzeugung von Ladungsträgern infolge von Lichteinstrahlung auf Metalloberflächen im Jahr 1839 von Alexandre Edmond Becquerel
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Original
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ART-10-295
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fotodiode
Abstract: CMOS schaltkreise Applikationsh TO18-4LF
Text: iC-VDK WECHSELLICHTSENSOR MIT SCHALTER EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Hohe Zuverlässigkeit und Störsicherheit durch monolithischen Aufbau Aktive Fotodiodenfläche von 1mm Richtcharakteristik durch Sammellinse Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen
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Original
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O18-4L
fotodiode
CMOS schaltkreise
Applikationsh
TO18-4LF
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