ELM34806AA
Abstract: No abstract text available
Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM34806AA-N •概要 ■特点 ELM34806AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值
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Original
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ELM34806AA-N
AUG-19-2004
P2804HVG
ELM34806AA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: polyfet rf devices P282 PATENTED GOLD METALIZED General Description SILICON RF POWER MOSFET Silicon DMOS designed specifically for RF applications. Immune to forward and reverse bias secondary breakdown "Polyfet"ta process features gold metal for greatly extended
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: polyfet rf devices P281 PATENTED GOLD METALIZED General Description SILICON RF POWER MOSFET Silicon D M O S designed specifically for R F applications. Immune to forward and reverse bias secondary breakdown "Polyfet"1”1 process features gold metal for greatly extended
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7E410D1
000D2T3
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ELM34406AA
Abstract: p2804bvg
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM34406AA-N •概要 ■特点 ELM34406AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=7.5A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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Original
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ELM34406AA-N
P2804BVG
ELM34406AA
p2804bvg
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ELM32408LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32408LA-S •概要 ■特点 ELM32408LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=10A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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Original
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ELM32408LA-S
P2804BDG
O-252
ELM32408LA
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复合
Abstract: ELM35601KA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特点 ELM35601KA-S 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5.5A
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Original
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ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
复合
ELM35601KA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM34604AA-N
P2804NVG
AUG-19-2004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特長 ELM35601KA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34603AA-N •概要 ■特長 ELM34603AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM34603AA-N
P2803NVG
JUL-25-2005
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34806AA-N •概要 ■特長 ELM34806AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=40V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V)
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Original
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ELM34806AA-N
P2804HVG
AUG-19-2004
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复合
Abstract: ELM34603AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34603AA-N •概要 ■特点 ELM34603AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-6A ·Rds on < 27.5mΩ(Vgs=10V)·Rds(on) < 34mΩ(Vgs=-10V)
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Original
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ELM34603AA-N
JUL-25-2005
P2803NVG
复合
ELM34603AA
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复合
Abstract: ELM34604AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特点 ELM34604AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds on < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 65mΩ(Vgs=-10V)
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Original
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ELM34604AA-N
P2804NVG
AUG-19-2004
复合
ELM34604AA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM34806AA-N •General description ■Features ELM34806AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34806AA-N
ELM34806AA-N
P2804HVG
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34604AA-N
ELM34604AA-N
P2804NVG
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32408LA-S •General description ■Features ELM32408LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=10A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM32408LA-S
ELM32408LA-S
P2804BDG
O-252
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P2803NVG
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34603AA-N •General Description ■Features ELM34603AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34603AA-N
ELM34603AA-N
P2803NVG
JUL-25-2005
P2803NVG
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34604AA-N
ELM34604AA-N
P2804NVG
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32408LA-S •General description ■Features ELM32408LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=10A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM32408LA-S
ELM32408LA-S
P2804BDG
O-252
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PDF
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P2804ND5G
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
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Original
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ELM35601KA-S
ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
P2804ND5G
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transistor 123 DL
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
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Original
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ELM35601KA-S
ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
transistor 123 DL
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p2804bvg
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM34406AA-N •General description ■Features ELM34406AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7.5A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34406AA-N
ELM34406AA-N
P2804BVG
p2804bvg
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM34806AA-N •General description ■Features ELM34806AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34806AA-N
ELM34806AA-N
P2804HVG
AUG-19-2004
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34603AA-N •General Description ■Features ELM34603AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34603AA-N
ELM34603AA-N
P2803NVG
JUL-25-2005
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PDF
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P70N02LDG
Abstract: p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G
Text: PRODUCT SELECTION GUIDE NIKO-SEM Surface-Mount And Through-Hole Power MOSFET Part Number BVDSS V VGS@ 2.5V RDS(ON) Max (mΩ) VGS@ VGS@ 4.5V 10V Ciss(Typ.) (pF) Qg(Typ.) RθJC VGS(th) (nc) ℃/W Max (V) ID (A) PD (W) TO-263 /220 N-Channel P45N02LSG P45N03LTG
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Original
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O-263
P45N02LSG
P45N03LTG
P75N02LSG
P75N02LTG
P0903BSG
P0903BTG
P3055LSG
P3055LTG
P50N03LSG
P70N02LDG
p0603bdg
P60N03LDG
PA102FDG
P2503NPG
P45N02LDG
P0603BD
P1703BDG
P0403BDG
P3004ND5G
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PDF
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